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EMBA2N10A

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)125mΩ ID14A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: NChannelMOSFET UIS,Rg100%Tested Pb-FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

N-ChannelEnhancementMOSFET

Features •VDS=100V,ID=2A •RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V(Typ.) •RDS(ON)=240mΩ@VGS=4.5V(Typ.) •HighPowerandcurrenthandingcapability •Leadfreeproductisacquired •SurfaceMountPackage MainApplications •BatteryProtection •LoadSwitch •PowerManagement

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣电子唯圣电子有限公司

GWSEMI

DrainCurrentID=2A@TC=25C

文件:65.05 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件:3.42734 Mbytes Page:7 Pages

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

FOSTER
更新时间:2025-6-17 18:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
EMC
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TO252
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
EMC
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SOT-23
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SOT-252
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原装现货假一赔十
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