| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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EMBA2N10A | N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)125mΩ ID14A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 |  |   |
N-ChannelEnhancementMOSFET Features •VDS=100V,ID=2A •RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V(Typ.) •RDS(ON)=240mΩ@VGS=4.5V(Typ.) •HighPowerandcurrenthandingcapability •Leadfreeproductisacquired •SurfaceMountPackage MainApplications •BatteryProtection •LoadSwitch •PowerManagement | GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司 |  | | |
DrainCurrentID=2A@TC=25C 文件：65.05 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 文件：3.42734 Mbytes Page：7 Pages | FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司 |  | | |
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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