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EG1121开关电源芯片

  EG1121是一款高性能的原边控制器,其高精度的恒压恒流控制可用于充电器产品中。当把 SEL 接地时, 这款芯片也可以用作 LED 照明中的准谐振恒流拓扑应用。\n  在恒压模式下,EG1121 采用多模控制,其使用调幅调频混合来提高系统的效率和可靠性。\n  在恒流模式下,这款芯片采用脉冲频率调制和负载恒流补偿的方案。\n  本芯片实现无噪音工作和优化动态响应。利用集成的线损补偿功能,可获得高性能的恒压输出表现。\n  EG1121 有多种保护功能:VDD 欠压保护(UVLO)、 VDD 过压保护(OVP)、逐周期限流保护(OCP)、短路保 护(SLP)、 Gate 箝位和 VDD 箝位 ·支持反激和压降拓扑\n ·PSR 控制反激式(SEL 悬空)\n ·谐振降压恒流控制(SEL=GND)\n ·多模式原边调节\n ·无噪音操作\n ·优化动态响应\n ·待机功耗 \n\t\t\t   短路保护(SLP)\n\t\t\t   过温保护(OTP) \n\t\t\t   逐周期限流保护(OCP) \n\t\t\t   前沿消隐(LEB) \n\t\t\t   管脚悬空保护;

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EG1123准谐振式、恒流恒压原边控制功率开关

  EG1123是一款高性能、准谐振式原边控制功率开关,可提供高精度恒压和恒流输出性能,尤其适合于小功率离线式充电器应用中。\n  在恒压输出模式中,EG1123 采用多模式工作方式,即调幅控制(AM)和调频控制(FM)相结合,提高了系统的效率和可靠性。在恒流输出模式中,芯片采用调频控制方式,同时集成了线电压和负载电压的恒流补偿。此芯片工作无噪音,同时可保证优异的动态性能。利用集成的线损补偿功能,可获得高性能的恒压输出表现。\n  EG1123 内置有完备的保护功能:VDD 欠压保护(UVLO)、VDD 过压保护(OVP)、逐周期限流保护(OCP)、短路保护(SLP)、管脚悬空保护、过热保护和 ·集成 700V 功率晶体管\n ·准谐振、高效率工作的原边控制器 (QR-PSR)\n ·最大输出功率 6W\n ·多模式原边控制方式 \n ·快速动态响应\n ·集成动态基极驱动\n ·工作无噪音\n ·恒流、恒压调整率小于±4%\n ·超低待机功耗 \n\t\t\t   输出短路保护(SLP) \n\t\t\t   逐周期限流保护(OCP) \n\t\t\t   前沿消隐(LEB) \n\t\t\t   过热保护(OTP) \n\t\t\t   VDD过压、欠压和箝位保护;

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准谐振式、恒流恒压原边控制功率开关

EG1125 是一款高性能、准谐振式原边控制功率开关,可提供高精度恒压和恒流输出性能,尤其适合于小功率离线式充电器应用中。在恒压输出模式中,EG1125 采用多模式工作方式,即调幅控制(AM)和调频控制(FM)相结合,提高了系统的效率和可靠性。在恒流输出模式中,芯片采用调频控制方式,同时集成了线电压和负载电压的恒流补偿。此芯片工作无噪音,同时可保证优异的动态性能。利用集成的线损补偿功能,可获得高性能的恒压输出表现。EG1125 内置有完备的保护功能:VDD 欠压保护(UVLO)、VDD 过压保护(OVP)、逐周期限流保护(OCP)、短路保护(SLP)、管脚悬空保护、过热保护、VDD 箝位和输出 • 集成 800V 功率晶体管\n• 准谐振、高效率工作的原边控制器(QR-PSR)\n• 最大输出功率 12W\n• 多模式原边控制方式\n• 快速动态响应\n• 集成动态基极驱动\n• 工作无噪音\n• 恒流、恒压调整率小于 ±5%\n• 超低待机功耗 < 30mW\n• 集成线电压、负载电压恒流补偿功能\n• 可调试线损补偿功能\n• 集成完备的保护功能;

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HIgh-Performance ExclusIon PWM Control Switch

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EGMICRO

屹晶微电子

Raychem Application Tooling

文件:3.71106 Mbytes Page:40 Pages

TEC

泰科电子

MultI-Mode QuasI-Resonance Interferometer

文件:624.89 Kbytes Page:11 Pages

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屹晶微电子

Pseudo-resonance constant voltage switch

文件:771.69 Kbytes Page:11 Pages

EGMICRO

屹晶微电子

Pseudo-resonance constant voltage switch

文件:771.45 Kbytes Page:11 Pages

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屹晶微电子

Integrated Flow Function, Off-LIne Flow Model PWM controller

文件:680.08 Kbytes Page:14 Pages

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JFET Chopper Transistor (N-Channel- Depletion)

JFET Chopper Transistor N–Channel — Depletion

MOTOROLA

摩托罗拉

SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS

Complementary Darlington Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers. • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic

MOTOROLA

摩托罗拉

DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

MOTOROLA

摩托罗拉

POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)

MOSPEC

统懋

Operational Amplifiers

文件:200.55 Kbytes Page:6 Pages

NSC

国半

更新时间:2026-5-22 17:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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23+
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3000
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
Egmicro(屹晶微)
25+
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EG/屹晶微
24+
SOP7
800000
原装正品,原厂发货

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