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EG1126

EG1126集成恒流功能、离线式电流模式 PWM 控制器

  EG1126是一款针对离线式反激电源设计的高性能PWM控制器。芯片内置原边恒流控制技术,适用于恒流 输出的隔离型电源应用。\n  EG1126 内部具有高精度 65kHz 开关频率振荡器,且带有抖频功能。芯片采用绿色节能模式和突发模式控 制轻负载和零负载,对于小于 60W 的应用可以保证小于 75mW 的待机功耗。\n  EG1126 内置有完备的保护功能: VDD 欠压保护(UVLO)、 VDD 过压保护(OVP)、 逐周期电流限制、短路 保护(SCP)、过载保护(OLP)、过热保护、软启动、VDD 箝位和 CS 管脚开路保护等。 ·可支持断续模式、连续模式的原边恒流技术 \n ·±5% 恒流精度;±1%恒压精度超低系统成本\n ·集成线电压和电感量补偿的恒流技术\n ·待机功耗<75mW\n ·电流模式控制 \n ·内置频率抖动\n ·开关频率为 65KHz\n ·绿色模式和打嗝模式控制\n ·芯片热关断\n ·逐周期电流限制\n ·内置前沿消隐\n ·内置斜坡补偿\n ·超低启动和工作电流 \n ·封装SOP-8和SOT23-6;

EGMICRO

屹晶微电子

EG1126

Integrated Flow Function, Off-LIne Flow Model PWM controller

文件:680.08 Kbytes Page:14 Pages

EGMICRO

屹晶微电子

Photo Transistor Chip

Features • Light Activated Photo Transistor Chip • Planar NPN • Aluminum Wire bondable • Backside Metallization - Gold • Die Attach methods: Eutectic or Epoxy

MICROSEMI

美高森美

Melody IC with Built-in SRAM

OVERVIEW The SM1126 Series are melody ICs for use in mobile telecommunications equipment. A maximum of 15 melodies can be stored in programmable ROM and one in built-in read/write SRAM. FEATURES ■ 2.0 to 3.6 V supply voltage ■ Maximum of 16 melody selections (15 in ROM + 1 in SRAM) ■ Level ho

NPC

Dual/Quad Decompensated Low Noise, High Speed Precision Op Amps

文件:250.23 Kbytes Page:8 Pages

LINER

凌力尔特

Dual/Quad Decompensated Low Noise, High Speed Precision Op Amps

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凌力尔特

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