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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 150V, 30A, RDS(ON) = 70mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 80mΩ @VGS = 5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 150V, 30A, RDS(ON) = 70mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 80mΩ @VGS = 5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

Fast Switching

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ISC

无锡固电

更新时间:2026-3-13 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
2026+
TO-220
31500
原装正品,假一罚十!
CET
20+
TO-220
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
CET
TO-220
68552
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
CET
21+
TO-220
10
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
TI
24+
VQFN32
22940
公司现货库存,支持实单
CET
23+
TO-220
10065
原装正品,有挂有货,假一赔十
CET
26+
VQFN20
86720
全新原装正品价格最实惠 承诺假一赔百
CET
25+
TO-TO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ROHM
23+
TO220
5000
原装正品,假一罚十
CET/華瑞
23+
TO-TO-220
12300
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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