| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-channel dual-gate MOS-FET DESCRIPTION Depletion type field-effect transistor in a plastic microminiature SOT343R package with source and substrate interconnected. The transistor is protected against excessive input voltage surges by integrated back-to-back diodes between gates and source. FEATURES • High forward | PHILIPS 飞利浦 |   | ||
Integrated Circuit 1.22V Reference Diode Description: The NTE998 is a temperature compensated low voltage reference device in a TO92 type package. A single monolithic structure is obtained by utilizing transistors and thin film resistors. Benefits of this construction is low noise, low current, and good long term stability associated wi | NTE | | ||
Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs 文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages | PHILIPS 飞利浦 | | ||
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3.0 mm Blue Series 文件：29.9 Kbytes Page：1 Pages | PANASONIC 松下 | |
| 替换型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Integrated Circuit 1.22V Reference Diode | NTE | NTE | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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