High efficacy in a 3535 package with full range of CCTs and CRIs

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单芯片、256k位非易失SRAM

DS2030是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中，采用256焊球BGA封装。模块VCC上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，SRAM内容可修改。VCC断电或超出容限时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2030有两种版本，分别提供5%和10%的电源监控跳变点。DS2030还具有一个电源监控输出，/RST指示，可用作微处理器的CPU监视器。 \n• 单片，可回流焊，27mm x 27mm BGA封装 \n• 内部ML电池和充电器 \n• VCC超出容限后，对SRAM无条件写保护 \n• VCC电源失效后，自动切换到电池供电 \n• 内部电源监控，检测电源是否低于标称VCC (5V)的5%或10% \n• 复位输出可用作微处理器的CPU监视器 \n• 工业级温度范围(-40°C至+85°C);

3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM

DS2030W是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中，采用256焊球BGA封装。模块VCC上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，SRAM内容可修改。VCC断电或超出容限时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2030W还有一个电源监控输出，/RST，可用于微处理器的CPU监视器。 \n• 内部ML电池和充电器 \n• VCC电源失效后，自动切换到电池供电 \n• 复位输出可用作微处理器的CPU监视器 \n• 工业级温度范围(-40°C至+85°C);

单芯片、256k位非易失SRAM

DS2030是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中，采用256焊球BGA封装。模块VCC上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，SRAM内容可修改。VCC断电或超出容限时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2030有两种版本，分别提供5%和10%的电源监控跳变点。DS2030还具有一个电源监控输出，/RST指示，可用作微处理器的CPU监视器。 \n• 内部ML电池和充电器 \n• VCC电源失效后，自动切换到电池供电 \n• 复位输出可用作微处理器的CPU监视器 \n• 工业级温度范围(-40°C至+85°C);

Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM

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Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM

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封装/外壳：256-BGA 包装：托盘 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA 集成电路（IC） 存储器

Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM

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DS2030L 3.3V Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM

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封装/外壳：256-BGA 包装：托盘 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA 集成电路（IC） 存储器

DS2030L 3.3V Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM

文件：181.03 Kbytes Page：12 Pages

3.3V Single-Piece 256k Nonvolatile SRAM

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3.3V Single-Piece 256k Nonvolatile SRAM

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Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM

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Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM

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Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM

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High efficacy in a 3535 package with full range of CCTs and CRIs

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P-channel enhancement mode MOS transistor

GENERAL DESCRIPTION P-channel, enhancement mode, logic level, field-effect power transistor. This device has low threshold voltage and extremely fast switching making it ideal for battery powered applications and high speed digital interfacing. The BSH203 is supplied in the SOT23 subminiature sur

Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor

GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications. The PHN203 is supplied in the SOT96

TRISILTM

DESCRIPTION The SMTPBxx series has been designedto protect telecommunication equipment against lightning and transient induced by AC power lines. FEATURES BIDIRECTIONAL CROWBAR PROTECTION. BREAKDOWNVOLTAGE RANGE: From 62 V To 270 V. HOLDING CURRENT: IH= 150 mA min REPETITIVE PE

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet™ process features low feedback and output capacitances

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(2.0A,20-60V)

Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overly contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes.