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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 24mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 40 A RDS(ON)

BYCHIP

百域芯

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 30 A, 24 m廓

文件:255.42 Kbytes Page:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 36 A, 24 m廓

文件:396.48 Kbytes Page:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓

文件:372.26 Kbytes Page:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

更新时间:2026-3-13 17:00:01
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