类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
41A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
16 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
939 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.17W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼
供应商器件封装
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
DMTH6016