类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
41A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
939 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.17W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装
PowerDI3333-8（SWP）UX 类
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
DMTH6016
