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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage, 1.2V Max • Low Input Capacitance • Fast

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美台半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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更新时间:2026-3-14 23:00:01
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