BYP6662_DMN4031SSD-13导读
而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。小功率mos是平面型结构。
这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。
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SI9926BDY-T1-E3
BYC4322 BYM4310 BYM4322 BYM4316 BYC4312 BYM438 BYS441 BYN4458 BYE4625Z BYM4612 。
。MOS管的导电沟道，能够在制作过程中构成，也能够通过接通外部电源构成，当栅压等于零时就存在沟道（即在制作时构成的）称为耗尽型，在施加外部电压后才构成沟道的称为增强型。
功率MOSFET普通很少选用P沟道，由于空穴的迁移率比电子的迁移率低，相同的沟道尺寸，P沟道的晶体管比N沟道的导通电阻大。 。依照导电沟道和沟道构成的过程两点来分类，MOS管能够分为：P沟增强型MOS管、P沟耗尽型MOS管、N沟增强型MOS管和N沟耗尽型MOS管。图四类MOSFET和它们的图形符号。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
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DMN3024LSD-13
BYN31028Z BYN31024A BYG31013A BYN31095 BYJ31040 BYM31013A BYH31015-X BYH31015 BYS31030 BYF31040 。
在低UDS分开夹断电压较大时，MOS管相当于一个电阻，此电阻跟着UGS的增大而减小。截止区（UGS）。在导电沟道挨近夹断时，增长变缓。图MOS管的漏极输出特性场效应晶体管的输出特性能够划分为四个区域：可变电阻区、截止区、击穿区和恒流区。 可变电阻区（UDS 在这个区域内，UDS增加时，ID线性增加。
图中MOSFET的结构是不合适运用在大功率的场所，缘由是两个方面的。一方面是结构上小功率MOSFET三个电极在一个平面上，沟道不能做得很短，沟道电阻大。另一方面是导电沟道是由外表感应电荷构成的，沟道电流是外表电流，要加大电流容量，就要加大芯片面积，这样的结构要做到很大的电流可能性也很小。
。MOSFET的特性能够用搬运特性曲线和漏极输出特性曲线来表征。图3是某种场效应管的搬运特性。搬运特性是指在漏源之间的电压UDS在某一固定值时，栅极电压UGS与相对应的漏极电流ID之间的关系曲线。
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MOS管在保护板中的作用是：1、检测过充电，2、检测过放电，3、检测充电时过电电流，4、检测放电时过电电流，5、检测短路时过电电流。
NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。
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