DMN32D2LFB4-7价格

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
DMN32D2LFB4-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage, 1.2V Max • Low Input Capacitance • Fast

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美台半导体

DMN32D2LFB4-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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美台半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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美台半导体

DMN32D2LFB4-7产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DMN32D2LFB4-7

  • 功能描述

    MOSFET 350mW 30Vdss

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-20 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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DFN1006
5000
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