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DMN32D2LFB4-7价格
参考价格：￥0.4779
型号：DMN32D2LFB4-7 品牌：Diodes 备注：这里有DMN32D2LFB4-7多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，DMN32D2LFB4-7批发/采购报价，DMN32D2LFB4-7行情走势销售排行榜，DMN32D2LFB4-7报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DMN32D2LFB4-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage, 1.2V Max • Low Input Capacitance • Fast | DIODES 美台半导体 |   | |
DMN32D2LFB4-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：185.86 Kbytes Page：5 Pages | DIODES 美台半导体 | | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：185.86 Kbytes Page：5 Pages | DIODES 美台半导体 | |
DMN32D2LFB4-7产品属性
- 类型
描述
- 型号
DMN32D2LFB4-7
- 功能描述
MOSFET 350mW 30Vdss
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
25+ |
X2-DFN1006-3 |
90000 |
DIODES/美台全新特价DMN32D2LFB4-7即刻询购立享优惠#长期有货 |
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DIODES/美台 |
2026+ |
X2-DFN1006-3 |
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Diodes Incorporated |
25+ |
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DIODES |
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DIODES/美台 |
24+ |
X2-DFN1006-3 |
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DiodesZetex |
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NA |
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DIODES/美台 |
23+ |
X2-DFN1006-3 |
12700 |
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DIODES/美台 |
25+ |
NA |
30000 |
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DIODES |
24+ |
DFN1006 |
8500 |
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DIODES/美台 |
2223+ |
QFN |
26800 |
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