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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features • Low On-Resistance: 57mΩ @ VGS = 10V 112mΩ @ VGS = 4.5V • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • Green Device (Note 2) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

更新时间:2025-10-20 10:05:01
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