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DMN3112SQ-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features • Low On-Resistance: 57mΩ @ VGS = 10V 112mΩ @ VGS = 4.5V • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • Green Device (Note 2) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

DMN3112SQ-7产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DMN3112SQ-7

  • 制造商

    TYSEMI

  • 制造商全称

    TY Semiconductor Co., Ltd

  • 功能描述

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input Capacitance

更新时间:2025-10-20 17:00:00
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