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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DMN3112S-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance: ◾ 57mΩ @ VGS = 10V ◾ 112mΩ @ VGS = 4.5V • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device ( | DIODES 美台半导体 |   | |
DMN3112S-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Low On-Resistance: 57mΩ @ VGS = 10V 112mΩ @ VGS = 4.5V • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • Green Device (Note 2) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High | ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品 | |
DMN3112S-7产品属性
- 类型
描述
- 型号
DMN3112S-7
- 功能描述
MOSFET 1.4W 30V 5.8A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
25+ |
SOT-23 |
34204 |
DIODES/美台全新特价DMN3112S-7即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
DIODES |
24+ |
SOT-23 |
3600 |
原装现货假一赔十 |
|||
DIODES/美台 |
24+ |
65200 |
|||||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT23 |
60000 |
全新原装现货 |
|||
DIODES |
2025+ |
SOT-23 |
7695 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
DIODES/美台 |
2450+ |
SOT-23 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
DIODES |
24+ |
SOT23 |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
|||
DIODES |
2022+PB |
SOT-23 |
3600 |
||||
DIODES |
2016+ |
SOT23 |
12000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
DMN3112S-7规格书下载地址
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