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DMN3112S-7中文资料

厂家型号

DMN3112S-7

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4

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

MOSFET 1.4W 30V 5.8A

数据手册

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生产厂商

DIODES

DMN3112S-7数据手册规格书PDF详情

Features

• Low On-Resistance:

◾ 57mΩ @ VGS = 10V

◾ 112mΩ @ VGS = 4.5V

• Low Gate Threshold Voltage

• Low Input Capacitance

• Fast Switching Speed

• Low Input/Output Leakage

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP Capable (Note 4)

DMN3112S-7产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DMN3112S-7

  • 功能描述

    MOSFET 1.4W 30V 5.8A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-26 20:25:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
25+
SOT-23
34204
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2019+
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78550
原厂渠道 可含税出货
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3600
原装正品 可含税交易
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