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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance • 70mΩ @VGS = 4.5V • 100mΩ @VGS = 2.5V • 170mΩ @VGS = 1.5V • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 2, 3 and 6) • Qualified to AEC-Q101 S

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美台半导体

Low On-Resistance

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美台半导体

更新时间:2025-10-19 22:59:01
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