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N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

Features •LowOn-Resistance •70mΩ@VGS=4.5V •100mΩ@VGS=2.5V •170mΩ@VGS=1.5V •VeryLowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes2,3and6) •QualifiedtoAEC-Q101S

DIODES

Diodes Incorporated

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LowOn-Resistance

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Diodes Incorporated

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更新时间:2025-5-13 20:05:01
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