型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
DMN2170U-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance • 70mΩ @VGS = 4.5V • 100mΩ @VGS = 2.5V • 170mΩ @VGS = 1.5V • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 2, 3 and 6) • Qualified to AEC-Q101 S

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美台半导体

Low On-Resistance

文件:376.49 Kbytes Page:7 Pages

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美台半导体

DMN2170U-7产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DMN2170U-7

  • 功能描述

    MOSFET 600mW 20Vdss

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-18 11:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOT-23
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