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DMN10H6D2LFDB-13

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  High Drain-Source Voltage Rating  ESD Protected Up to 1kV  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)  For au

DIODES

美台半导体

更新时间:2025-11-6 15:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO2363 SC59 SOT233
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