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12VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. Features •0.6mmProfile–IdealforLowProfileApplications •PCBFootprintof4mm2 •LowGat

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
更新时间:2025-6-6 8:48:01
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