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DMN1008UFDF-7

12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features • 0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications • PCB Footprint of 4mm2 • Low Gat

DIODES

美台半导体

更新时间:2026-8-4 13:31:00
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