| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features • Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.1V typ • High speed switching tr = 90 ns typ, tf = 250 ns typ • Low leak current ICES = 1µA max • Isolated package TO-220FL | RENESAS 瑞萨 |   |
更新时间：2025-12-24 20:00:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
瑞萨 |
24+ |
NA/ |
17138 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO220F |
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RENESAS/瑞萨 |
22+ |
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RENESAS/瑞萨 |
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TO220F |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
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RENESAS |
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TO263-3 |
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RENESAS/瑞萨 |
42 |
42 |
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原装现货 |
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RENESAS |
原厂封装 |
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RENESAS/瑞萨 |
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RENESAS/瑞萨 |
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RENESAS |
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TO-220F |
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