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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features • Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) • Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.1V typ • High speed switching tr = 90 ns typ, tf = 250 ns typ • Low leak current ICES = 1µA max • Isolated package TO-220FL

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-3-13 9:19:01
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