| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM80N04Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with | ADV 爱德微 |   | ||
N-Channel 4 -V (D-S) MOSFET 文件：1.26306 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.45351 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：1.35541 Mbytes Page：4 Pages | JIANGSU 长电科技 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：756.79 Kbytes Page：7 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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