| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 27 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type • Des | RENESAS 瑞萨 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 65mΩ(Max)@VGS= 5V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control | ISC 无锡固电 | | ||
Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Discrete IGBTs 文件：112.84 Kbytes Page：2 Pages | SIRECT 矽莱克半导体 | | ||
Discrete IGBTs 文件：109.19 Kbytes Page：2 Pages | SIRECTIFIER 矽莱克电子 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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RENESAS/瑞萨 |
2450+ |
TDSON-8 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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RENESAS/瑞萨 |
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TDSON-8 |
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DFN5*6 |
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RENESAS |
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RENESAS |
原厂封装 |
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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RENESAS/瑞萨 |
12+ |
QFN8 |
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原装正品 可含税交易 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5060 |
986966 |
国产 |
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