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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP23N06YDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=27mΩMAX.(VGS=10V,ID=11.5A) •LowCiss:Ciss=1200pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Logicleveldrivetype •Des

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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矽莱克半导体矽莱克半导体有限公司(深圳)

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更新时间:2024-6-22 18:08:01
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