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CSD18532Q价格
参考价格：￥8.1065
型号：CSD18532Q5B 品牌：TEXAS 备注：这里有CSD18532Q多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，CSD18532Q批发/采购报价，CSD18532Q行情走势销售排行榜，CSD18532Q报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
60VN-ChannelNexFETPowerMOSFETs 文件：877.94 Kbytes Page：14 Pages | TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI) |  |   | |
60-V,N-ChannelNexFETPowerMOSFETs 文件：1.46405 Mbytes Page：12 Pages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  | | |
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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.2mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC- | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
60-V,N-ChannelNexFETPowerMOSFETs 文件：928.83 Kbytes Page：10 Pages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | | |
CSD18532Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
CSD18532Q
- 功能描述
MOSFET 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
2152+ |
VSON8 |
8000 |
原装正品假一罚十 |
|||
TI/德州仪器 |
2406+ |
VSON8 |
10025 |
承诺销售的所有产品原装正品, |
|||
TI(德州仪器) |
23+ |
VSON |
11566 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
TI |
23+ |
VSON8 |
2500 |
正规渠道,只有原装! |
|||
TI/德州仪器 |
23+ |
VSON8 |
18204 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
TI/德州 |
2105+ |
SON-8 |
10053 |
||||
TI |
2020+ |
8VSON |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
TI |
22+ |
QFN |
10000 |
原装正品现货优势供应 |
|||
TI |
19+ |
SON5x6 |
20000 |
265 |
|||
TI |
1716+ |
SON5x6 |
9700 |
只做原装进口,假一罚十 |
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- d403
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- d325
- d2007
- d2004
- d2002
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- d1002
- c波段
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