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CSD17575Q3.B | CSD17575Q3 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low Qg and Qgd • Low RDS(on) • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package 2 Applications • Point of Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom, and | TI 德州仪器 |   | |
CSD17575Q3 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low Qg and Qgd • Low RDS(on) • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package 2 Applications • Point of Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom, and | TI 德州仪器 | | ||
30V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：450.26 Kbytes Page：13 Pages | TI 德州仪器 | | ||
CSD17575Q3 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Low Qg and Qgd • Low RDS(on) • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package 2 Applications • Point of Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom, and | TI 德州仪器 | | ||
30V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：450.26 Kbytes Page：13 Pages | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
25+ |
原厂封装 |
9999 |
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TI(德州仪器) |
2511 |
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TI(德州仪器) |
2021+ |
VSON-CLIP-8 |
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TI |
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TI |
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TI |
三年内 |
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TI(德州仪器) |
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VSON8CLIP |
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24+ |
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