CSD17304Q3价格

参考价格:¥2.5684

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CSD17304Q3

30V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Network

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CSD17304Q3

30V N-Channel NexFET??Power MOSFETs

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CSD17304Q3

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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30V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1FEATURES 2• Optimized for 5V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package APPLICATIONS • Notebook Point of Load • Point-of-Load Synchronous Buck in Network

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The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.

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CSD17304Q3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CSD17304Q3

  • 功能描述

    MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-27 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI/德州仪器
24+
NA/
15250
原装现货,当天可交货,原型号开票
TI(德州仪器)
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