一般信息
数据列表 CSD17313Q2;_
Power Management Guide;_
TI Solutions Tablets，eBooks;_
标准包装 3，000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 NexFET??
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 4A，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 2.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值） +10V，-8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 340pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.3W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 6-WSON（2x2）
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
文档
制造商产品页 CSD17313Q2 Specifications
应用说明 Ringing Reduction Techniques for MOSFETS
PCN 组件/产地 CSDYYY 01/Feb/2019
PCN 设计/规格 Marking Standardization 29/Jan/2015
图像和媒体
产品相片 6-WSON
产品培训模块 NexFET MOSFET Technology
特色产品 Create your power design now with TI’s WEBENCH? Designer
Power Management
视频文件 NexFET Power Block
PowerStack? Packaging Technology Overview
