CSD16301Q2

时间:2023-4-21 16:42:00

CSD16301Q2

品牌

TI

封装

WSON-6

批号

21+

数量

21000

制造商

Texas Instruments

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

WSON-6

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Id-连续漏极电流

5 A

Rds On-漏源导通电阻

24 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

- 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压

900 mV

Qg-栅极电荷

2 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

15 W

通道模式

Enhancement

配置

Single

高度

0.75 mm

长度

2 mm

系列

CSD16301Q2

晶体管类型

1 N-Channel Power MOSFET

宽度

2 mm

下降时间

1.7 ns

上升时间

4.4 ns

典型关闭延迟时间

4.1 ns

典型接通延迟时间

2.7 ns

单位重量

8.700 mg

可售卖地

全国

型号

CSD16301Q2

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-Channel NexFET??Power MOSFETs

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

N-Channel NexFET Power MOSFETs

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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

2025-10-1 9:48:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI/德州仪器
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