时间：2023-4-21 16:42:00
品牌
TI
封装
WSON-6
批号
21+
数量
21000
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-6
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Qg-栅极电荷
2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD16301Q2
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
2 mm
下降时间
1.7 ns
上升时间
4.4 ns
典型关闭延迟时间
4.1 ns
典型接通延迟时间
2.7 ns
单位重量
8.700 mg
可售卖地
全国
型号
CSD16301Q2
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel NexFET??Power MOSFETs | TITexas Instruments 德州仪器 |   | ||
N-Channel NexFET Power MOSFETs | TITexas Instruments 德州仪器 | | ||
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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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