CSD17308Q3

时间:2020-9-27 15:28:00

CSD17308Q3

製造商: Texas Instruments

產品類型: MOSFET

RoHS: 詳細資料

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/外殼: VSON-CLIP-8

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V

Id - C連續漏極電流: 50 A

Rds On - 漏-源電阻: 10.3 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 8 V, + 8 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 900 mV

Qg - 閘極充電: 3.9 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 150 C

Pd - 功率消耗 : 28 W

通道模式: Enhancement

公司名稱: NexFET

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1 mm

長度: 3.3 mm

系列: CSD17308Q3

晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET

寬度: 3.3 mm

品牌: Texas Instruments

開發套件: BQ500211AEVM-210

下降時間: 2.3 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 5.7 ns

原廠包裝數量: 2500

子類別: MOSFETs

標準斷開延遲時間: 9.9 ns

標準開啟延遲時間: 4.5 ns

每件重量: 41 mg