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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 64A, RDS (ON) = 9.6 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS (ON) = 15.5 mW @VGS = 6V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 65A, RDS (ON) = 9.4 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS (ON) = 14 mW @VGS = 4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

N-Ch Trench MOSFET

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KODENSHI

可天士

N-Ch Trench MOSFET

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KODENSHI

可天士

更新时间:2025-8-13 16:29:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
23+
PR-PACK5x6
141980
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
TOSHIBA
20
TOSHIBA
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CET/華瑞
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P-PAK5X6
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CET/華瑞
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PR-PACK(5*6)
120000
只做原装 可免费提供样品
Toshiba
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SOD-523-2
12420
NK/南科功率
2025+
DFN5060-8
986966
国产
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62000
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  • CN809T

    CN809T,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ:1755232575 /QQ:1157611585,微信号:87680558.

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  • CN809R

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