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SNN10R10LD

N-Ch Trench MOSFET

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KODENSHI

可天士

N-Ch Trench MOSFET

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KODENSHI

可天士

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 64A, RDS (ON) = 9.6 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS (ON) = 15.5 mW @VGS = 6V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 65A, RDS (ON) = 9.4 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS (ON) = 14 mW @VGS = 4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

更新时间:2025-8-13 23:01:00
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