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HighVoltageMOSFET

HighVoltageMOSFET N-Channel,EnhancementMode Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-251AA,TO-252AA •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Fastswitchingtimes Applications •Levelshifting •Triggers •Solidstaterelays •Currentre

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

Plastic-EncapsulateMOSFETS

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ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

ZPSEMI

N-ChannelPowerMOSFET

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JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

长电科技江苏长电科技股份有限公司

JIANGSU

Plastic-EncapsulateMOSFETS

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ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

ZPSEMI
更新时间:2025-5-24 16:42:01
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