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CGHV96050F2-AMP

50-W, 7.9 – 9.6-GHz, 50-ohm, Input/Output-Matched GaN HEMT

MACOM

50 W, 7.9 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/Output Matched GaN HEMT

Description Wolfspeed’s CGHV96050F2 is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on Silicon Carbide (SiC) substrates. This GaN Internally Matched (IM) FET offers excellent power added efficiency in comparison to other technologies. GaN has superior properties compared to

WOLFSPEED

50 W, 7.9 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/Output Matched GaN HEMT

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Cree

科锐

更新时间:2025-12-29 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TDK
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    2023-2-3
  • CGHV96050F2

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    2019-12-7
  • CGHV50200F

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt

    2019-12-7
  • CGHV60075D5

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt

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    2019-9-2
  • CH315

    CH315,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-1