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SINGLE CELL Li-Ion AND Li-Pol BATTERY GAS GAUGE IC FOR PORTABLE APPLICATIONS (bqJUNIOR) 文件：366.58 Kbytes Page：29 Pages | TI 德州仪器 |   | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI(德州仪器) |
24+ |
VSON-10 |
3022 |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
44 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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TI |
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QFN |
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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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TI |
24+ |
QFN |
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全新原装正品现货 假一赔佰 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
QFN10 |
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百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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TI/德州仪器 |
22+ |
PBFREE |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
VSON10 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
VSON-10 |
32000 |
TI/德州仪器全新特价BQ27200DRKR即刻询购立享优惠#长期有货 |
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TI/BB |
23+ |
NA |
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TI |
0804+ |
SON-10 |
20 |
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CGHV27200F/P规格书下载地址
CGHV27200F/P参数引脚图相关
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CGHV27200F/P数据表相关新闻
CGHV96050F2
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz， 50 Watt
2019-12-7CGHV1J025D
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz， 25 Watt
2019-12-7CGHV50200F
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz， 200 Watt
2019-12-7CGHV60075D5
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz， 75 Watt
2019-12-7CGHV1J070D-GP4
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz， 70 Watt
2019-12-7CGHV1J006DRF晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz， 6 Watt
2019-12-7
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