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CGHV1J025D

25 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

Description Wolfspeed’s CGHV1J025D is a high voltage gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on a silicon carbide substrate, using a 0.25μm gate length fabrication process. This GaN-on-SiC product offers superior high frequency, high efficiency features. It is ideal for

WOLFSPEED

CGHV1J025D

25 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

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Cree

科锐

更新时间:2025-8-10 9:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CREE
638
原装正品
CREE
2308+
原厂原包
6850
十年专业专注 优势渠道商正品保证
Cree/Wolfspeed
17+ROHS全新原装
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正纳电子进口元件供应链优势渠道现货部分短货期QQ详
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郑重承诺只做原装进口现货
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原厂渠道,现货配单

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