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CGHV1F006S

6 W, DC - 15 GHz, 40 V, GaN HEMT

Description Wolfspeed’s CGHV1F006S is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. The device can be deployed for L, S, C, X and Ku-Band amplifier applications. The datasheet s

WOLFSPEED

CGHV1F006S

封装/外壳:12-VFDFN 裸露焊盘 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:RF MOSFET HEMT 40V 12DFN 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

WOLFSPEED

CGHV1F006S

6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT

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Cree

科锐

6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT

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包装:盒 描述:DEMO HEMT TRANS AMP3 CGHV1F006S 开发板,套件,编程器 射频评估和开发套件,开发板

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6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT

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body for stepping switch - 1 pole - 45째 - 12 A - for 횠 22 mm

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SCHNEIDER

施耐德

更新时间:2025-10-27 16:36:00
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