型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CGHV1F006S-TR

6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT

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Cree

科锐

6 W, DC - 15 GHz, 40 V, GaN HEMT

Description Wolfspeed’s CGHV1F006S is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. The device can be deployed for L, S, C, X and Ku-Band amplifier applications. The datasheet s

WOLFSPEED

6 W, DC - 18 GHz, 40V, GaN HEMT

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Cree

科锐

body for stepping switch - 1 pole - 45째 - 12 A - for 횠 22 mm

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SCHNEIDER

施耐德

更新时间:2025-12-31 18:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CREE(科锐)
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
Wolfspeed
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射频结栅场效应晶体管
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
CREE
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