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CEP50N06G

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 55A ,RDS(ON) = 20mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

CEP50N06G

N Channel MOSFET

CET

华瑞

50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 50N06is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt. It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mod

UTC

友顺

50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

更新时间:2025-12-29 9:22:00
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