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位置：首页 > IC中文资料第2135页 > BULK128

BULK128晶体管资料

  • BULK128D别名：BULK128D三极管、BULK128D晶体管、BULK128D晶体三极管

  • BULK128D生产厂家：

  • BULK128D制作材料：Si-N+Di

  • BULK128D性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • BULK128D封装形式：直插封装

  • BULK128D极限工作电压：700V

  • BULK128D最大电流允许值：4A

  • BULK128D最大工作频率：<1MHZ或未知

  • BULK128D引脚数：3

  • BULK128D最大耗散功率：55W

  • BULK128D放大倍数：

  • BULK128D图片代号：B-21

  • BULK128Dvtest：700

  • BULK128Dhtest：999900

  • BULK128Datest：4

  • BULK128Dwtest：55

  • BULK128D代换 BULK128D用什么型号代替：

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BULK128

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

文件：219.98 Kbytes Page：7 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128

High voltage fast-switching NPN power transistor

文件：225.08 Kbytes Page：11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128

封装/外壳：SOT-82 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 400V 4A SOT82-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128D

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128D-B

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128_01

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

文件：219.98 Kbytes Page：7 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128_08

High voltage fast-switching NPN power transistor

文件：225.08 Kbytes Page：11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128D

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128D-B

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128D-B

封装/外壳：SOT-82 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 400V 4A SOT82-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BSP128

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

DESCRIPTION N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a SOT223 envelope, intended for use as a line current interruptor in telephone sets and for applications in relay, high-speed and line transformer drivers. FEATURES • Direct interface to C-MOS, TTL, etc. • High-speed switching

PHILIPS

飞利浦

BUL128

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is desi

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NTE128

Silicon Complementary Transistors Audio Output, Video, Driver

Description: The NTE128 (NPN) and NTE129 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO39 type package designed primarily for amplifier and switching applications. These devices features high breakdown voltages, low leakage currents, low capacity, and a beta useful over an extremely wide c

NTE

NTE128P

Silicon Complementary Transistors General Purpose Amp

Description: The NTE128P (NPN) and NTE129P (PNP) are silicon complemedntary transistors designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. Features: • High VCE Ratings • Exceptional Power Dissipation Capability

NTE

MA128

Silicon epitaxial planar type

文件：49.24 Kbytes Page：2 Pages

PANASONIC

松下

BULK128产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BULK128

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT HI-VOLT FAST SWITCH NPN PWR TRANSISTR

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

BULK128供应商更多...

更新时间：2026-3-15 11:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市腾亿芯科技有限公司
BULK128
ST
25+
TO-126
16900
原装，请咨询
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
BULK128DB
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艾睿（深圳）半导体有限公司
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市一线半导体有限公司
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深圳市中飞凌科技有限公司
BULK128
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深圳市柯尔基电子有限公司
BULK128DB
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TO-126
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主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管
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深圳市富芯乐电子科技有限公司
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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深圳市高捷芯城科技有限公司
BULK128
STMicroelectronics
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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
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深圳市科芯源微电子有限公司
BULK128D-B
ST
2026+
TO-126
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