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BULK晶体管资料

  • BULK128D别名：BULK128D三极管、BULK128D晶体管、BULK128D晶体三极管

  • BULK128D生产厂家：

  • BULK128D制作材料：Si-N+Di

  • BULK128D性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • BULK128D封装形式：直插封装

  • BULK128D极限工作电压：700V

  • BULK128D最大电流允许值：4A

  • BULK128D最大工作频率：<1MHZ或未知

  • BULK128D引脚数：3

  • BULK128D最大耗散功率：55W

  • BULK128D放大倍数：

  • BULK128D图片代号：B-21

  • BULK128Dvtest：700

  • BULK128Dhtest：999900

  • BULK128Datest：4

  • BULK128Dwtest：55

  • BULK128D代换 BULK128D用什么型号代替：

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BULK118

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The devices are manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. They use a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The devices are

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128D

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128D-B

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK38D

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The BUL38D is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage withstand capability. The BUL series is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALEST

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK118

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128

封装/外壳：SOT-82 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 400V 4A SOT82-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

文件：219.98 Kbytes Page：7 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128

High voltage fast-switching NPN power transistor

文件：225.08 Kbytes Page：11 Pages

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意法半导体

BULK128_01

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

文件：219.98 Kbytes Page：7 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128_08

High voltage fast-switching NPN power transistor

文件：225.08 Kbytes Page：11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK128D-B

封装/外壳：SOT-82 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS NPN 400V 4A SOT82-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

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意法半导体

BULK128D-B

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BULK产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BULK

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT HI-VOLT FAST SWITCH NPN PWR TRANSISTR

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

BULK供应商更多...

更新时间：2025-11-4 13:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市坤融电子科技有限公司
BULK128D-B
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