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IGBT Power Module

• Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate

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英飞凌IGBT模块 BSM15GD120DN2E3224

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INFINEON

英飞凌

PDF上传者:苏州银邦电子科技有限公司

封装/外壳:模块 包装:散装 描述:IGBT MOD 1200V 25A 145W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

INFINEON

英飞凌

封装/外壳:模块 包装:散装 描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

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IGBT Power Module

• Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate

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英飞凌IGBT模块 BSM15GD120DN2

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IGBT Power Module

• Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate

EUPEC

BSM15GD120DN2E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSM15GD120DN2E

  • 功能描述

    IGBT 模块 N-CH 1.2KV 25A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2026-3-12 17:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
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