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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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BSM15GD120DN2 | IGBTPowerModule •Powermodule •3-phasefull-bridge •Includingfastfree-wheeldiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate | eupec eupec GmbH |  |   |
BSM15GD120DN2 | 英飞凌IGBT模块BSM15GD120DN2 文件：257.154 Kbytes Page：9 Pages |  | | |
IGBTPowerModule •Powermodule •3-phasefull-bridge •Includingfastfree-wheeldiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate | eupec eupec GmbH | | | |
英飞凌IGBT模块BSM15GD120DN2E3224 文件：257.154 Kbytes Page：9 Pages | | | ||
封装/外壳：模块 包装：托盘 描述：IGBT MODULE 1200V 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | | |
封装/外壳：模块 包装：散装 描述：IGBT MOD 1200V 25A 145W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | | |
IGBTPowerModule •Powermodule •3-phasefull-bridge •Includingfastfree-wheeldiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate | eupec eupec GmbH | | |
BSM15GD120DN2产品属性
- 类型
描述
- 型号
BSM15GD120DN2
- 功能描述
IGBT 模块 1200V 15A 3-PHASE
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
AG-ECONO2-1 |
914 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
TI |
23+ |
DIP |
12000 |
全新原装假一赔十 |
|||
EUPEC |
24+ |
module |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
|||
EUPEC |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
EUPEC/欧派克 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
54285 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
Module |
1262 |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
|||
EUPEC |
2018 |
模块 |
300 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
||||
eupec |
1950+ |
980 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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