BSM15GD120DN2中文资料

功能描述:IGBT 模块 1200V 15A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BSM15GD120DN2

IGBT Power Module

eupec

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IGBT Power Module

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Infineon

Infineon
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AMD

Infineon
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Infineon

SIEMENS
模块

SIEMENS

Siemens Ltd

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SIEMENS

TI
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德州仪器美国德州仪器公司

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TI

INFINEON
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Infineon
更新时间:2021-5-11 23:51:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BSM15GD120DN2
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