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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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BSM15GD120DN2E3224 | IGBTPowerModule •Powermodule •3-phasefull-bridge •Includingfastfree-wheeldiodes •Packagewithinsulatedmetalbaseplate | eupeceupec GmbH 欧派克 |  |   |
BSM15GD120DN2E3224 | 英飞凌IGBT模块BSM15GD120DN2E3224 文件：257.154 Kbytes Page：9 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | |
封装/外壳：模块 包装：散装 描述：IGBT MOD 1200V 25A 145W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：模块 包装：散装 描述：LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
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BSM15GD120DN2E3224产品属性
- 类型
描述
- 型号
BSM15GD120DN2E3224
- 功能描述
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 25A
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INF |
2018+ |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
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INFIENON |
23+ |
MODULE |
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原装正品,价格优势 |
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INFINEON |
module |
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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EUPEC |
23+ |
模块 |
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SIEMENS |
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模块 |
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价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
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EUPEC |
2018+ |
module |
6000 |
全新原装正品现货,假一赔佰 |
|||
优派克 |
23+ |
模块 |
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||||
EUPEC/欧派克 |
22+ |
NA |
1120 |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
|||
EUPEC |
23+ |
模块 |
35 |
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EUPEC |
22+ |
模块 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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