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BSM15GD120DN2E3224中文资料

厂家型号

BSM15GD120DN2E3224

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257.154Kbytes

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9

功能描述

英飞凌IGBT模块 BSM15GD120DN2E3224

IGBT 模块 N-CH 1.2KV 25A

数据手册

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生产厂商

Infineon

资料整理企业 苏州银邦电子科技有限公司

BSM15GD120DN2E3224产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSM15GD120DN2E3224

  • 功能描述

    IGBT 模块 N-CH 1.2KV 25A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-10-23 8:11:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
AG-ECONO2-1
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INFINEON
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AG-ECONO2-1
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