型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
BSM100GB120DN2

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate

SIEMENS

西门子

BSM100GB120DN2

IGBT Power Module

文件:227.74 Kbytes Page:11 Pages

EUPEC

BSM100GB120DN2

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

INFINEON

英飞凌

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate

SIEMENS

西门子

封装/外壳:模块 包装:托盘 描述:IGBT MOD 1200V 150A 800W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

INFINEON

英飞凌

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

INFINEON

英飞凌

IGBT Power Module

文件:313.28 Kbytes Page:10 Pages

EUPEC

封装/外壳:模块 包装:托盘 描述:IGBT MOD 1200V 145A 700W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

INFINEON

英飞凌

BSM100GB120DN2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSM100GB120DN2

  • 功能描述

    IGBT 模块 1200V 100A DUAL

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2026-3-2 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
AG-34mm-1
914
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
EUPEC德国欧派克
23+
NA
3580
全新原装假一赔十
EUPEC
24+
模块
6000
全新原装正品现货 假一赔佰
EUPEC/欧派克
2026+
原厂原封可拆样
64586
百分百原装现货 实单必成
Infineon Technologies
24+
Module
1262
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!!
INFINEON
20+
原装模块
368
样品可出,原装现货
INFINEON/英飞凌
24+
模块
300
只要挂着就有货原装正品价格优惠
EUPEC
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
INFINEON
2025+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
原厂
2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货

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