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BSM100GB120DN2K中文资料

厂家型号

BSM100GB120DN2K

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9

功能描述

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

IGBT 模块 1200V 100A DUAL

数据手册

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生产厂商

SIEMENS

BSM100GB120DN2K数据手册规格书PDF详情

IGBT Power Module

• Half-bridge

• Including fast free-wheeling diodes

• Package with insulated metal base plate

BSM100GB120DN2K产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSM100GB120DN2K

  • 功能描述

    IGBT 模块 1200V 100A DUAL

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-10-25 8:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
AG-34mm-1
914
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
EUPEC
08+
IGBT
77
绝对全新原装强调只做全新原装现
IGBT
23+
55
英飞凌
19+/20+
模块
1000
主打产品价格优惠.全新原装正品
INFINEON
24+
AG-34MM-1
6
低于市场价,实单必成,QQ1562321770
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
INFINEON/英飞凌
24+
模块
300
只要挂着就有货原装正品价格优惠
英飞凌
22+
425
全新、原装
INF
24+
16
EUPEC
N/A
主营模块
190
原装正品,现货供应

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    2019-10-17