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丝印代码:080N12LS;OptiMOSTM 3 Power-Transistor, 120 V

Features • N-channel, logic level • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • 150 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification • Halogen-free according to IEC61249-2-

INFINEON

英飞凌

更新时间:2026-3-12 17:40:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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