制造商 Infineon Technologies
FET 类型 2 N-通道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 7.2 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 30μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 52nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3990pF @ 20V
功率 - 最大值 65W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN
器件封装 PG-TDSON-8-4
