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参考价格：￥4.3911

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BSC057N08NS3G	OptiMOS3 Power-Transistor Features • Ideal for high frequency switching and sync. rec. • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free plating; RoHS	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC057N08NS3	OptiMOS3 Power-Transistor Features • Ideal for high frequency switching and sync. rec. • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free plating; RoHS	Infineon 英飞凌	Infineon

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更新时间：2025-10-1 8:08:00

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BSC057N08NS3G
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2023-4-10
BSC047N08NS3G全新原装特价销售MOSFET
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2022-10-27
BSC060N10NS3G TDSON-8 N沟道大电流低内阻MOS场效应管原装正品
BSC060N10NS3G
2022-4-20
BSC047N08NS3G 封装PG-TDSON-8场效应管(MOSFET)
BSC047N08NS3G
2022-4-20
BSC040N10NS5晶体管原装现货
型号：BSC040N10NS5 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PG-TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-
2019-12-7
BSC057N08NS3G多路器开关IC
BSC057N08NS3G 多路器开关 IC
2019-4-11