BSC057N08NS3G

时间:2023-4-10 11:09:00

BSC057N08NS3G

通道数1

针脚数8

漏源极电阻0.0047 Ω

极性N-Channel

耗散功率2.5 W

阈值电压2.8 V

漏源极电压(Vds)80 V

输入电容(Ciss)2900pF @40V(Vds)

额定功率(Max)114 W

工作温度(Max)150 ℃

工作温度(Min)-55 ℃

耗散功率(Max)114 W

封装参数

安装方式Surface Mount

引脚数8

封装TDSON-8

外形尺寸

长度5.35 mm

宽度6.1 mm

高度1.1 mm

封装TDSON-8

物理参数

工作温度-55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期Active

包装方式Tape & Reel (TR)

符合标准

RoHS标准RoHS Compliant

含铅标准Lead Free

REACH SVHC标准No SVHC

REACH SVHC版本2015/12/17

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

2025-8-16 20:22:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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